BaMgF4晶体的电光系数的测量

发布时间:2017-02-15       阅读:1466


BaMgF4晶体因其极短的紫外吸收边(~130nm)和其良好的铁电性质(可实现准相位匹配),近年来成为了深紫外全固态激光器制造中非线性材料的有力竞争者。BaMgF4晶体的铁电、二阶和三阶非线性等性质已被进行了广泛研究。BaMgF4晶体属于正交晶系,空间群为Cmc21,点群为mm2。


我们制作了BaMgF4晶体双面包覆金属波导,利用此结构灵敏度高的优点,对BaMgF4晶体的电光效应进行了研究。实验中,我们测量了波导中同一阶导模在不同外加电场下对应的不同外部入射角,通过拟合计算得到了BaMgF4晶体的电光系数γ_13=-36.2pm/V。在同样的实验条件下测量了LiNbO3晶体的电光系数为γ_13=9.1pm/V,此结果与之前文献报道的结果符合较好。BaMgF4晶体的|γ_13|比常见的电光晶体LiNbO3的最大电光系数γ_51=32.6pm/V更大,再加上BaMgF4独特的深紫外波段透明的特点,未来有望作为深紫外波段的电光调制器和光开关制作中的候选者。


研究成果发表在Zhuo Wang, Hailang Dai, Yuanlin Zheng, and Xianfeng Chen, Measurement of the electro-optic coefficient of a BaMgF4 single crystal, Optics Materials Express 7(2), 360-365